SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的海力长期发展规划,还有面向AI市场的布远高性能以及高带宽AI-N产品。还有定制款的景产HBM4E。以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,
在2029至2031年,而标准的上限是48Gbps,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,
NAND方面,12层和16层堆叠的HBM4E,企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、

在2026至2028年,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,MRDIMM Gen2、也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,面向AI市场有专用的高密度NAND。所以应该是GDDR7的升级版,线路图上出现了GDDR7-Next,下面我们一起来看看他们的线路图。还有很大潜力可以挖掘,
DRAM市场方面,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,